3D NAND占据所有闪存生产的一半

根据一份新报告，3D NAND堆叠在另一个闪存电池层上的闪存电池层上层，将成为全新的闪存的突出技术。

根据Dramexchange的最新预测，NAND闪存制造商已经将其努力集中在将制造厂转换为3D NAND，这是更密集的，更快，更便宜地生产而不是传统的2D（平面）NAND。

BICS（比特成本缩放）是WD和合作伙伴东芝用于生产固态驱动器和其他NAND闪存产品的垂直堆叠或3D技术。他们的最新内存每块单元存储三位数据，并将这些单元格64层堆叠。

根据DrameXchange的报告，大多数NAND Flash供应商将在2017年下半年开始批量生产64层3D NAND芯片的大多数NAND Flash供应商。

今年早些时候，西部数字（WD）和合作伙伴东芝，启动了64层NAND闪存产品的生产，该行业的Densest与每次闪存单元中的三位数据进行密集。

3D NAND闪存芯片基于WD和TOSHIBA呼叫BICS（位成本缩放）的垂直堆叠或3D技术。WD推出了基于64层NAND闪存技术的前512千兆（GB）3D NAND芯片的试验生产。

根据该报告，WD的64层产品的采样将于5月底开始，批量生产将在最早的下半年遵循。

对于企业而言，3D NAND的生产的兴起应表示在数据中心和工作站上使用更便宜的非易失性记忆。

英特尔正在将其在大连，中国的制造厂转换，从生产处理器芯片到3D NAND闪存芯片。

然而，即使3D NAND生产的增加，由于Apple对下一个iPhone释放和SSD供应商的稳定需求的组件，预计整个NAND Flash供应预计将保持紧张的一年。

3D NAND现在构成了三星“S和Micron”的一半以上的NAND闪存位输出。SK Hynix还准备推出72层NAND芯片。报告说，希望赶上行业的领导者，SK Hynix将在今年下半年开始大规模生产72层芯片。

Dramexchange说，三星仍在竞争对手的3D NAND技术比赛中。该公司的48层芯片广泛用于企业和客户级SSD以及移动NAND产品。

用于移动设备的Micron“S 3D NAND闪存芯片示例。

三星通过其在韩国Pyeontaek的新建制造厂，已经完成了设备安装，预计将于7月初开始生产64层闪存芯片。

Micron是三星之后的第二大3D-NAND供应商，也有技术占其总NAND闪存位输出的50％以上。Micron目前，主要的内存模块制造商使用其32层芯片以及从其自身品牌的SSD的强大货物供应。